|
Vyučující
|
-
Knotek Petr, doc. Ing. Ph.D.
-
Wágner Tomáš, prof. Ing. DrSc.
|
|
Obsah předmětu
|
1. Polovodiče (přehled a typy), pásový model, statistiky částic a stavů 2. Intrinsické a extrinsické polovodiče, kompenzační doping, aplikace polovodičů 3. Teorie volných elektronů v kovech 4. Elektron v ideálním krystalu, Kronig-Penneyův model 5. Litografické procesy ve výrobě integrovaných obvodů 6. Přehled technologie výroby Si I. a II. 7. Principy chemických a plasmochemických procesů v mikrolelektronice 8. Defekty v Si , getrace a 9. Dekontaminace a leštění povrchu Si desek a Analýza povrchů ve výrobě polovodičů 10. Jednodenní laboratorní práce v čistých laboratořích pro mikroelektroniku 11. SiC technologie I 12. SiC technologie II 13. Základy technologie výroby integrovaných obvodů, Aplikace p-n přechodů v elektronice i mikro-optice Součástí předmětu je i jednodenní laboratorní práce v čistých laboratořích pro mikroelektroniku na MU Brno.
|
|
Studijní aktivity a metody výuky
|
|
nespecifikováno
|
|
Výstupy z učení
|
Cílem předmětu je získání základních znalostí studentů z teorie a praxe výroby polovodičů v elektronice i optoelektronice.
|
|
Předpoklady
|
nespecifikováno
|
|
Hodnoticí metody a kritéria
|
nespecifikováno
Zkouška je písemná i ústní.
|
|
Doporučená literatura
|
-
J. Valíček. Průvodce po křemíkové technologii.. Rožnov P/R., 2000.
-
S. O. Kasap. Elektronické materiály a součástky. 2010.
|