|
Vyučující
|
-
Střižík Lukáš, Ing. Ph.D.
|
|
Obsah předmětu
|
1. Pásový model amorfních a krystalických polovodičů. 2. Poruchy v pevných látkách. 3. Vliv příměsí na elektrické a optické vlastnosti, PN přechod. 4. Polykrystalický a monokrystalický Si: výroba. 5. Čištění křemíkových desek. 6. Oxidace. 7. Iontová implantace. 8. Difúze. 9. Epitaxní růst Si, chemické depozice dielektrických vrstev. 10. Fotolitografie, mokré a suché procesy tvarování vrstev. 11. Fyzikální depozice kovových vrstev. 12. Amorfní křemík, vlastnosti, aplikace. 13. III-V a II-VI polovodiče.
|
|
Studijní aktivity a metody výuky
|
Přednášení
- Účast na výuce
- 39 hodin za semestr
- Příprava na souhrnný test
- 60 hodin za semestr
- Příprava na zkoušku
- 72 hodin za semestr
|
|
Výstupy z učení
|
Cílem předmětu je posluchače seznámit s vlastnostmi polovodičů a základy technologie jejich výroby, především polovodičů na bázi křemíku, III-V a II-VI polovodičů.
Studenti získají znalosti o moderních technologiích výroby polovodičů, zejména Si a jeho aplikacích.
|
|
Předpoklady
|
Základní znalosti z anorganické i organické chemie.
|
|
Hodnoticí metody a kritéria
|
Ústní zkouška, Písemná zkouška
Složení písemného testu a ústního zkoušení.
|
|
Doporučená literatura
|
-
přednášky předmětu.
-
J. Valíček. Průvodce po křemíkové technologii.. Rožnov P/R., 2000.
-
S.O. Kasap, P. Capper. Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials. Springer Science+Business Media, Inc., USA, 2006.
|