|
Vyučující
|
-
Wágner Tomáš, prof. Ing. DrSc.
-
Knotek Petr, doc. Ing. Ph.D.
|
|
Obsah předmětu
|
1. Polovodiče (přehled a typy), pásový model, statistiky částic a stavů 2. Intrinsické a extrinsické polovodiče, kompenzační doping, aplikace polovodičů 3. Teorie volných elektronů v kovech 4. Elektron v ideálním krystalu, Kronig-Penneyův model 5. Litografické procesy ve výrobě integrovaných obvodů 6. Přehled technologie výroby Si I. a II. 7. Výroba monokrystalů křemíku 8. Defekty v Si 9. Getrace 10. Dekontaminace a leštění povrchu Si desek 11. Analýza povrchů ve výrobě polovodičů 12. Čištění povrch křemíku 13. Principy chemických a plasmochemických procesů v mikrolelektronice 14. Základy technologie výroby integrovaných obvodů, Aplikace p-n přechodů v elektronice i mikro-optice Součástí předmětu je i jednodenní laboratorní práce v čistých laboratořích pro mikroelektroniku na MU Brno. Na předmět navazuje i exkurze do firmy OnSemiconductors a.s. Rožnov p. /R. a pro nadšené zájemce i stáže ve specializovaných laboratořích v této firmě.
|
|
Studijní aktivity a metody výuky
|
|
Monologická (výklad, přednáška, instruktáž)
|
|
Výstupy z učení
|
Cílem předmětu je rozšířit základní znalosti studentů z teorie a praxe výroby polovodičů v elektronice i optoelektronice.
Studenti získají znalosti o moderních technologiích výroby polovodičů, integrovaných obvodů a jejich aplikacích.
|
|
Předpoklady
|
nespecifikováno
|
|
Hodnoticí metody a kritéria
|
Písemná zkouška
Zkouška je písemná i ústní.
|
|
Doporučená literatura
|
-
Ing. J. Valíček. Průvodce po křemíkové technologii, 2000.
-
J.G. Korvink, A.Greiner. Semiconductors for micro- and |nanotechnology..
-
S. O. Kasap. Elektronické materiály a součástky. 2010.
|