Název předmětu | Polovodičové materiály |
---|---|
Kód předmětu | KOANCH/C886 |
Organizační forma výuky | Přednáška |
Úroveň předmětu | Magisterský |
Rok studia | 3 |
Semestr | Letní |
Počet ECTS kreditů | 4 |
Vyučovací jazyk | Čeština |
Statut předmětu | Povinně-volitelný, Volitelný |
Způsob výuky | Kontaktní |
Studijní praxe | Nejedná se o pracovní stáž |
Doporučené volitelné součásti programu | Není |
Vyučující |
---|
|
Obsah předmětu |
1. Polovodiče (přehled a typy), pásový model, statistiky částic a stavů 2. Intrinsické a extrinsické polovodiče, kompenzační doping, aplikace polovodičů 3. Teorie volných elektronů v kovech 4. Elektron v ideálním krystalu, Kronig-Penneyův model 5. Litografické procesy ve výrobě integrovaných obvodů 6. Přehled technologie výroby Si I. a II. 7. Výroba monokrystalů křemíku 8. Defekty v Si 9. Getrace 10. Dekontaminace a leštění povrchu Si desek 11. Analýza povrchů ve výrobě polovodičů 12. Čištění povrch křemíku 13. Principy chemických a plasmochemických procesů v mikrolelektronice 14. Základy technologie výroby integrovaných obvodů, Aplikace p-n přechodů v elektronice i mikro-optice Součástí předmětu je i jednodenní laboratorní práce v čistých laboratořích pro mikroelektroniku na MU Brno. Na předmět navazuje i exkurze do firmy OnSemiconductors a.s. Rožnov p. /R. a pro nadšené zájemce i stáže ve specializovaných laboratořích v této firmě.
|
Studijní aktivity a metody výuky |
Monologická (výklad, přednáška, instruktáž) |
Výstupy z učení |
Cílem předmětu je rozšířit základní znalosti studentů z teorie a praxe výroby polovodičů v elektronice i optoelektronice.
Studenti získají znalosti o moderních technologiích výroby polovodičů, integrovaných obvodů a jejich aplikacích. |
Předpoklady |
nespecifikováno
|
Hodnoticí metody a kritéria |
Písemná zkouška
Zkouška je písemná i ústní. |
Doporučená literatura |
|
Studijní plány, ve kterých se předmět nachází |
Fakulta | Studijní plán (Verze) | Kategorie studijního oboru/specializace | Doporučený semestr | |
---|---|---|---|---|
Fakulta: Fakulta chemicko-technologická | Studijní plán (Verze): Materiálové inženýrství (2016) | Kategorie: Speciální a interdisciplinární obory | 1 | Doporučený ročník:1, Doporučený semestr: Letní |
Fakulta: Fakulta elektrotechniky a informatiky | Studijní plán (Verze): Komunikační a řídicí technologie (2014) | Kategorie: Elektrotechnika, telekomunikační a výpočetní technika | 2 | Doporučený ročník:2, Doporučený semestr: Letní |
Fakulta: Fakulta elektrotechniky a informatiky | Studijní plán (Verze): Komunikační a mikroprocesorová technika (2015) | Kategorie: Elektrotechnika, telekomunikační a výpočetní technika | 3 | Doporučený ročník:3, Doporučený semestr: Letní |
Fakulta: Fakulta elektrotechniky a informatiky | Studijní plán (Verze): Komunikační a řídicí technologie (2016) | Kategorie: Elektrotechnika, telekomunikační a výpočetní technika | 2 | Doporučený ročník:2, Doporučený semestr: Letní |
Fakulta: Fakulta elektrotechniky a informatiky | Studijní plán (Verze): Komunikační a mikroprocesorová technika (2013) | Kategorie: Elektrotechnika, telekomunikační a výpočetní technika | 3 | Doporučený ročník:3, Doporučený semestr: Letní |
Fakulta: Fakulta elektrotechniky a informatiky | Studijní plán (Verze): Komunikační a řídicí technologie (2015) | Kategorie: Elektrotechnika, telekomunikační a výpočetní technika | 2 | Doporučený ročník:2, Doporučený semestr: Letní |
Fakulta: Fakulta elektrotechniky a informatiky | Studijní plán (Verze): Komunikační a mikroprocesorová technika (2014) | Kategorie: Elektrotechnika, telekomunikační a výpočetní technika | 3 | Doporučený ročník:3, Doporučený semestr: Letní |
Fakulta: Fakulta elektrotechniky a informatiky | Studijní plán (Verze): Komunikační a mikroprocesorová technika (2016) | Kategorie: Elektrotechnika, telekomunikační a výpočetní technika | 3 | Doporučený ročník:3, Doporučený semestr: Letní |
Fakulta: Fakulta chemicko-technologická | Studijní plán (Verze): Materiálové inženýrství (2015) | Kategorie: Speciální a interdisciplinární obory | 1 | Doporučený ročník:1, Doporučený semestr: Letní |