Tato bakalářská práce se zabývá vyšetřením optických a transportních
vlastností polovodiče Ga2Te3 měřením závislostí indexu lomu a absorpčního
koeficientu na energii fotonů dopadajícího záření a dále teplotní závislost elektrické
vodivosti. Z výsledků těchto měření byla zjištěna šířka zakázaného pásu Eg polovodiče
Ga2Te3. Jako výsledek byly porovnány její hodnoty určené z optických a
transportních měření. Pro měření byly vylisované polykrystalické vzorky metodou hot - pressing.
Materiál Ga2Te3 byl připraven syntézou a následnou temperací z elementárních
prvků v stechiometrickém poměru.
Anotace v angličtině
The aim of this study was to investigate the optical and transport properties of
gallium telluride with measurements of dependence of the refractive index and
absorption coefficient to incident radiation energy; next temperature dependence of
electrical conductivity.
As the results of these measurements optical and thermal width of forbidden
gap Eg of semiconductor Ga2Te3 was observed. Its values determined from optical
and transport measurements were compared as the result.
Polycrystalline samples for the measurement were made by hot - pressing
method. Material Ga2Te3 was prepared by synthesis of the basic elements in a
stoichiometric ratio and subsequent tempering.
Klíčová slova
Ga2Te3, pásová struktura, šířka zakázaného pásu, absorpční hrana, mezipásové přechody, optický a termický gap
Klíčová slova v angličtině
Ga2Te3, band structure, band gap, absorption edge, interband transitions, optical and thermal gap
Rozsah průvodní práce
-
Jazyk
CZ
Anotace
Tato bakalářská práce se zabývá vyšetřením optických a transportních
vlastností polovodiče Ga2Te3 měřením závislostí indexu lomu a absorpčního
koeficientu na energii fotonů dopadajícího záření a dále teplotní závislost elektrické
vodivosti. Z výsledků těchto měření byla zjištěna šířka zakázaného pásu Eg polovodiče
Ga2Te3. Jako výsledek byly porovnány její hodnoty určené z optických a
transportních měření. Pro měření byly vylisované polykrystalické vzorky metodou hot - pressing.
Materiál Ga2Te3 byl připraven syntézou a následnou temperací z elementárních
prvků v stechiometrickém poměru.
Anotace v angličtině
The aim of this study was to investigate the optical and transport properties of
gallium telluride with measurements of dependence of the refractive index and
absorption coefficient to incident radiation energy; next temperature dependence of
electrical conductivity.
As the results of these measurements optical and thermal width of forbidden
gap Eg of semiconductor Ga2Te3 was observed. Its values determined from optical
and transport measurements were compared as the result.
Polycrystalline samples for the measurement were made by hot - pressing
method. Material Ga2Te3 was prepared by synthesis of the basic elements in a
stoichiometric ratio and subsequent tempering.
Klíčová slova
Ga2Te3, pásová struktura, šířka zakázaného pásu, absorpční hrana, mezipásové přechody, optický a termický gap
Klíčová slova v angličtině
Ga2Te3, band structure, band gap, absorption edge, interband transitions, optical and thermal gap
Zásady pro vypracování
1. Rešeršní část
i) Proveďte literární rešerši prací věnovaných přípravě a fyzikálním vlastnostem materiálu Ga2Te3.
ii) Zhodnoťte vlastnosti materiálu Ga2Te3 z hlediska potenciální aplikace.
2. Experimentální část
i) Proveďte syntézu polykrystalického Ga2Te3.
ii) Pomocí práškové rentgenové difrakce ověrte fázové složení připraveného materiálu.
iii) Pomocí lisování za vysokých teplot (tzv. hot pressingu) připravte tabletu polykrystalického Ga2Te3.
iv) Porovnejte šířku zakázaného pásu určenou z výsledků optických a elektrických měření.
Zásady pro vypracování
1. Rešeršní část
i) Proveďte literární rešerši prací věnovaných přípravě a fyzikálním vlastnostem materiálu Ga2Te3.
ii) Zhodnoťte vlastnosti materiálu Ga2Te3 z hlediska potenciální aplikace.
2. Experimentální část
i) Proveďte syntézu polykrystalického Ga2Te3.
ii) Pomocí práškové rentgenové difrakce ověrte fázové složení připraveného materiálu.
iii) Pomocí lisování za vysokých teplot (tzv. hot pressingu) připravte tabletu polykrystalického Ga2Te3.
iv) Porovnejte šířku zakázaného pásu určenou z výsledků optických a elektrických měření.
Seznam doporučené literatury
1. Odborné články na téma příprava a vlastnosti materiálů na bázi Ga2Te3.
2. D. M. Rowe: Thermoelectrics handbook (Taylor & Francis, CRC Press, 2006)
3. H. Fujiwara: Spectroscopic ellipsometry: Principles and Applications (John Wiley & Sons, Chichester, 2007)
Seznam doporučené literatury
1. Odborné články na téma příprava a vlastnosti materiálů na bázi Ga2Te3.
2. D. M. Rowe: Thermoelectrics handbook (Taylor & Francis, CRC Press, 2006)
3. H. Fujiwara: Spectroscopic ellipsometry: Principles and Applications (John Wiley & Sons, Chichester, 2007)
Přílohy volně vložené
-
Přílohy vázané v práci
-
Převzato z knihovny
Ne
Plný text práce
Přílohy
Posudek(y) oponenta
Hodnocení vedoucího
Záznam průběhu obhajoby
Bakalářka přednesla výsledky své bakalářské práce a zodpověděla dotazy členů komise.