Práce byla zaměřena na organokovové sloučeniny 13. skupiny s chalkogenidy užívané jako SSP pro depozice tenkých vrstev III ? VI materiálů pomocí metody MOCVD. Hlavní pozornost byla upřena na chemickou strukturu a složení SSP obsahující galium a indium. Byly zkoumány především jejich sublimační a rozkladné teploty, které jsou závislé zejména na navázaných alkyl nebo aryl substituentech. Tyto různé depoziční teploty vedly k ukládání tenkých vrstev s rozdílnými strukturami. Jejichž elektrické vlastnosti byly zkoumány.
Anotace v angličtině
The work was focused on metalorganic coumpounds of the 13th group with chalcogenides used as a SSP for the deposition of thin films III ? VI matarials by MOCDV method. The main attention was focused on the chemical structure and compositioon of SSP containing galium and indium. Were investigated study their sublimation and decomposition temperature, which are dependent on alkyl or aryl substituents bonded in structure. These different deposition temperature led to growing thin film with different structure. And their electric properties were studied.
Klíčová slova
SSP, MOCVD, 13. skupina, II ? VI a III ? VI materiál, tenká vrstva
Klíčová slova v angličtině
SSP, MOCVD, 13. group, II ? VI a III ? VI material, thin film
Rozsah průvodní práce
52
Jazyk
CZ
Anotace
Práce byla zaměřena na organokovové sloučeniny 13. skupiny s chalkogenidy užívané jako SSP pro depozice tenkých vrstev III ? VI materiálů pomocí metody MOCVD. Hlavní pozornost byla upřena na chemickou strukturu a složení SSP obsahující galium a indium. Byly zkoumány především jejich sublimační a rozkladné teploty, které jsou závislé zejména na navázaných alkyl nebo aryl substituentech. Tyto různé depoziční teploty vedly k ukládání tenkých vrstev s rozdílnými strukturami. Jejichž elektrické vlastnosti byly zkoumány.
Anotace v angličtině
The work was focused on metalorganic coumpounds of the 13th group with chalcogenides used as a SSP for the deposition of thin films III ? VI matarials by MOCDV method. The main attention was focused on the chemical structure and compositioon of SSP containing galium and indium. Were investigated study their sublimation and decomposition temperature, which are dependent on alkyl or aryl substituents bonded in structure. These different deposition temperature led to growing thin film with different structure. And their electric properties were studied.
Klíčová slova
SSP, MOCVD, 13. skupina, II ? VI a III ? VI materiál, tenká vrstva
Klíčová slova v angličtině
SSP, MOCVD, 13. group, II ? VI a III ? VI material, thin film
Zásady pro vypracování
1. Literární rešerše zaměřená na depozice tenkých vrstev.
2. Literární rešerše zaměřená na využití organokovových sloučenin prvků 13-té skupiny jako SSP.
3. Syntéza vybraných organokovových sloučenin.
Zásady pro vypracování
1. Literární rešerše zaměřená na depozice tenkých vrstev.
2. Literární rešerše zaměřená na využití organokovových sloučenin prvků 13-té skupiny jako SSP.
3. Syntéza vybraných organokovových sloučenin.
Seznam doporučené literatury
Davies, A.G: Comprehensive Organometallic Chemistry II
Seznam doporučené literatury
Davies, A.G: Comprehensive Organometallic Chemistry II
Přílohy volně vložené
-
Přílohy vázané v práci
-
Převzato z knihovny
Ne
Plný text práce
Přílohy
Posudek(y) oponenta
Hodnocení vedoucího
Záznam průběhu obhajoby
Posluchač seznámil komisi se svojí bakalářskou prací.
Dále reagoval na připomínky a zodpověděl otázky členů komise:
Zdůvodněte požadavek na vysokou čistotu prekurzorů.
Jakou předpokládáte tloušťku připravených vrstev?
Co to jsou inserční reakce?