Diplomová práce se zabývá přípravou a studiem objemových skel a tenkých vrstev systému Ge-As-Se. Tenké vrstvy byly připraveny technikou pulzní laserové depozice. Připravené tenké vrstvy byly studovány pomocí skenovacího elektronového mikroskopu s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem, Ramanovou spektroskopií, rentgenovou difrakcí a mikroskopií atomárních sil. Pomocí spektrální elipsometrie s proměnným úhlem dopadu byly studovány reverzibilní a ireverzibilní fotoindukované jevy.
Anotace v angličtině
This thesis focused on the preparation and the study of selected bulk glass and thin films of Ge-As-Se system. Thin films were prepared by pulsed laser deposition. The prepared thin films were studied by scanning electron microscope with energy dispersive x-ray analyzer, Raman spectroscopy, X-ray diffraction and atomic force microscopy. In prepared thin films, reversible and irreversible photoinduced phenomena were studied using variable angle spectroscopic ellipsometry.
Diplomová práce se zabývá přípravou a studiem objemových skel a tenkých vrstev systému Ge-As-Se. Tenké vrstvy byly připraveny technikou pulzní laserové depozice. Připravené tenké vrstvy byly studovány pomocí skenovacího elektronového mikroskopu s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem, Ramanovou spektroskopií, rentgenovou difrakcí a mikroskopií atomárních sil. Pomocí spektrální elipsometrie s proměnným úhlem dopadu byly studovány reverzibilní a ireverzibilní fotoindukované jevy.
Anotace v angličtině
This thesis focused on the preparation and the study of selected bulk glass and thin films of Ge-As-Se system. Thin films were prepared by pulsed laser deposition. The prepared thin films were studied by scanning electron microscope with energy dispersive x-ray analyzer, Raman spectroscopy, X-ray diffraction and atomic force microscopy. In prepared thin films, reversible and irreversible photoinduced phenomena were studied using variable angle spectroscopic ellipsometry.
1. Zpracujte literární rešerši o amorfních chalkogenidech systému Ge-As-Se.
2. Pulzní laserovou depozicí připravte vybrané tenké amorfní vrstvy systému Ge-As-Se.
3. Určete základní fyzikálně-chemické vlastnosti připravených tenkých vrstev.
4. Studujte fotostabilitu vrstev v panenském stavu i ve stavu relaxovaném.
5. Zhodnoťte a diskutujte získané výsledky.
Zásady pro vypracování
1. Zpracujte literární rešerši o amorfních chalkogenidech systému Ge-As-Se.
2. Pulzní laserovou depozicí připravte vybrané tenké amorfní vrstvy systému Ge-As-Se.
3. Určete základní fyzikálně-chemické vlastnosti připravených tenkých vrstev.
4. Studujte fotostabilitu vrstev v panenském stavu i ve stavu relaxovaném.
5. Zhodnoťte a diskutujte získané výsledky.
Seznam doporučené literatury
-
Seznam doporučené literatury
-
Přílohy volně vložené
-
Přílohy vázané v práci
ilustrace, grafy, tabulky
Převzato z knihovny
Ne
Plný text práce
Přílohy
Posudek(y) oponenta
Hodnocení vedoucího
Záznam průběhu obhajoby
Diplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací.
Dále reagovala na připomínky oponenta.
Zodpověděla otázky členů komise:
Ukažte, které pásy v Ramanových spektrech přísluší jednotkám As4Se4 As4Se3.
Definujte výpočet středního koordinačního čísla a za jakým účelem bylo počítáno?
Nakreslete strukturu jednotky As4Se3.
V čem se liší zápis GeSe4 a GeSe4/2.
Jak byla zjištěna tloušťka studovaných materiálů?
Diskutujte metody přípravy tenkých vrstev.
Byla studována homogenita tloušťky připravených tenkých vrstev.
Co bylo zjištěno metodou AFM?