Práce se zabývá studiem materiálů potenciálně vhodných pro výrobu elektricky spínaných pamětí. Práce se zabývá dvěma systémy - Ge2Sb2,3Te4Se a Ge28-xGaxS72. Z materiálů byly připravené tenké vrstvy, ty byly charakterizovány a následně dále byly studovány jejich fyzikálně chemické vlastnosti - v případě Ge-Sb-Te-Se byla změřena teplotní závislost plošného elektrického odporu a získané zakrystalované vrstvy byly znovu charakterizovány a porovnány s vrstvami amorfními a v případě Ge-Ga-S bylo studováno chování stříbra během fotoindukovaného rozpouštění do připravených vrstev.
Anotace v angličtině
The main aim of this PhD thesis was to study of amorphous chalcogenides, which might be potentially used in industry to manufacture nanomemories which are switched on and off by electrical pulses. This work deals with two systems - Ge2Sb2,3Te4Se and Ge28-xGaxS72. Thin films with both composition were prepared, characterized and then their other physico-chemical properties were studied - in case of Ge-Sb-Te-Se temperature dependence of sheet resistance was measured and obtained crystalline thin films were characterized and compared to results of amorphous thin films and in case of Ge-Ga-S behavior of silver during photo diffusion and dissolution process was studied.
Klíčová slova
chalkogenidová skla, amorfní polovodiče, tenké vrstvy, paměti, iontové vodiče, optické vlastnosti, elektrické vlastnosti
Práce se zabývá studiem materiálů potenciálně vhodných pro výrobu elektricky spínaných pamětí. Práce se zabývá dvěma systémy - Ge2Sb2,3Te4Se a Ge28-xGaxS72. Z materiálů byly připravené tenké vrstvy, ty byly charakterizovány a následně dále byly studovány jejich fyzikálně chemické vlastnosti - v případě Ge-Sb-Te-Se byla změřena teplotní závislost plošného elektrického odporu a získané zakrystalované vrstvy byly znovu charakterizovány a porovnány s vrstvami amorfními a v případě Ge-Ga-S bylo studováno chování stříbra během fotoindukovaného rozpouštění do připravených vrstev.
Anotace v angličtině
The main aim of this PhD thesis was to study of amorphous chalcogenides, which might be potentially used in industry to manufacture nanomemories which are switched on and off by electrical pulses. This work deals with two systems - Ge2Sb2,3Te4Se and Ge28-xGaxS72. Thin films with both composition were prepared, characterized and then their other physico-chemical properties were studied - in case of Ge-Sb-Te-Se temperature dependence of sheet resistance was measured and obtained crystalline thin films were characterized and compared to results of amorphous thin films and in case of Ge-Ga-S behavior of silver during photo diffusion and dissolution process was studied.
Klíčová slova
chalkogenidová skla, amorfní polovodiče, tenké vrstvy, paměti, iontové vodiče, optické vlastnosti, elektrické vlastnosti
Zasedání zahájil předseda zkušební komise pro obhajobu disertační práce prof. Ladislav Koudelka a konstatoval, že jednání je přítomno všech 9 členů komise včetně tří jmenovaných oponentů. Dále pak představil členům komise Ing. Miroslava Bartoše a seznámil členy komise s doporučením školitele Prof. Ing. Tomáše Wágnera, CSc. a stanoviskem vedoucího školicího pracoviště k předložené práci. Následně pak doktorand seznámil komisi s předmětem a výsledky své disertační práce.
Po referátu doktoranda následovalo projednání oponentských posudků. Všichni tři oponenti postupně přečetli své posudky a následně doktorand zodpověděl na jejich dotazy a připomínky.
V diskusi po projednání oponentských posudků byla pozornost zaměřena na vlastnosti připravených tenkých vrstev, problematiku jejich přípravy a homogenity připravených vrstev. Prof. Lošťák diskutoval problematiku vlivu selenu na vodivost získaného materiálu. Doc. Exnar diskutoval problematiku průběhu indexu lomu ve studovaných vrstvách a způsob stanovení jeho průběhu. Prof. Černošek uvedl, že v práci mělo být věnováno více pozornosti vysvětlení získaných experimentálních výsledků.
Po skončení veřejné rozpravy proběhlo neveřejné zasedání komise, na kterém došlo po debatě k hlasování. Z přítomných 9 členů komise se 9 vyjádřilo pro výsledek obhajoby "vyhověl" a udělení vědecké hodnosti doktor (Ph.D.) Ing. Miroslavu Bartošovi. Předseda komise poté seznámil doktoranda s výsledkem hlasování komise, poděkoval členům komise i oponentům za jejich účast na obhajobě a ukončil jednání komise.