Byla připravena řada monokrystalických vzorků složení Bi2-xTaxSe3, kde x = 0; 0,005; 0,01; 0,02 a 0,03. Vzorky byly charakterizovány RTG difrakcí a měřením teplotních závislostí elektrické vodivosti ., Hallova koeficientu RH a Seebeckova koeficientu . v oblasti teplot 100 ? 470 K. Z naměřených dat byl vypočten výkonový faktor PF = ..2. Bylo zjištěno, že příměs Ta-atomů v krystalové struktuře Bi2Se3 má za následek zvýšení koncentrace volných nositelů proudu ? volných elektronů. Tento efekt je vysvětlen modelem bodových poruch v krystalové struktuře Bi2-xTaxSe3.
Anotace v angličtině
Single crystalline Bi2-xTaxSe3 system, where x = 0; 0,005; 0,01; 0,02 and 0,03 was prepared. The samples were characterized by X-ray diffraction and electrical conductivity ?ă, Hall coefficient RH and Seebeck coefficient ?Ń were measured over a temperature range of 100 - 470 K. Power factor PF = ?ă?Ń2 was calculated from measured data. Doping with tantalum atoms into structure Bi2Se3 led to increase in the concentration of free carriers - free electrons. This effect was explained by the model of point defects in the Bi2-xTaxSe3 crystal structure.
Klíčová slova
monokrystal, Bi2Se3, tantal, transportní vlastnosti, bodové poruchy
Klíčová slova v angličtině
Single-crystal, Bi2Se3, tantalum, transport properties, point defects
Rozsah průvodní práce
-
Jazyk
CZ
Anotace
Byla připravena řada monokrystalických vzorků složení Bi2-xTaxSe3, kde x = 0; 0,005; 0,01; 0,02 a 0,03. Vzorky byly charakterizovány RTG difrakcí a měřením teplotních závislostí elektrické vodivosti ., Hallova koeficientu RH a Seebeckova koeficientu . v oblasti teplot 100 ? 470 K. Z naměřených dat byl vypočten výkonový faktor PF = ..2. Bylo zjištěno, že příměs Ta-atomů v krystalové struktuře Bi2Se3 má za následek zvýšení koncentrace volných nositelů proudu ? volných elektronů. Tento efekt je vysvětlen modelem bodových poruch v krystalové struktuře Bi2-xTaxSe3.
Anotace v angličtině
Single crystalline Bi2-xTaxSe3 system, where x = 0; 0,005; 0,01; 0,02 and 0,03 was prepared. The samples were characterized by X-ray diffraction and electrical conductivity ?ă, Hall coefficient RH and Seebeck coefficient ?Ń were measured over a temperature range of 100 - 470 K. Power factor PF = ?ă?Ń2 was calculated from measured data. Doping with tantalum atoms into structure Bi2Se3 led to increase in the concentration of free carriers - free electrons. This effect was explained by the model of point defects in the Bi2-xTaxSe3 crystal structure.
Klíčová slova
monokrystal, Bi2Se3, tantal, transportní vlastnosti, bodové poruchy
Klíčová slova v angličtině
Single-crystal, Bi2Se3, tantalum, transport properties, point defects
Zásady pro vypracování
1. Proveďte literární rešerši o vlivu prvků 5. skupiny na vlastnosti sloučeniny Bi2Se3.
2. Připravte řadu monokrystalických vzorků Bi2-xTaxSe3.
3. Vzorky charakterizujte měřením teplotních závislostí měrné elektrické vodivosti, Seebeckova koeficientu a Hallova koeficientu.
4. Fázovou čistotu a mřížkové parametry měřených vzorků ověřte pomocí rentgenové difrakční analýzy.
5. Diskutujte experimentální výsledky.
6. Sepište závěrečnou práci.
Zásady pro vypracování
1. Proveďte literární rešerši o vlivu prvků 5. skupiny na vlastnosti sloučeniny Bi2Se3.
2. Připravte řadu monokrystalických vzorků Bi2-xTaxSe3.
3. Vzorky charakterizujte měřením teplotních závislostí měrné elektrické vodivosti, Seebeckova koeficientu a Hallova koeficientu.
4. Fázovou čistotu a mřížkové parametry měřených vzorků ověřte pomocí rentgenové difrakční analýzy.
5. Diskutujte experimentální výsledky.
6. Sepište závěrečnou práci.
Seznam doporučené literatury
Podle pokynů vedoucího práce.
Seznam doporučené literatury
Podle pokynů vedoucího práce.
Přílohy volně vložené
-
Přílohy vázané v práci
-
Převzato z knihovny
Ne
Plný text práce
Přílohy
Odůvodnění nezveřejnění VŠKP
Posudek(y) oponenta
Hodnocení vedoucího
Záznam průběhu obhajoby
Diplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací.\par
Dále reagovala na připomínky oponenta.\par
Zodpověděla otázky členů komise:\par \par\par\par\par
Diskutujte možnost použití Bridgmanovy metody pro přípravu monokrystalu.\par
V jaké formě byl použit tantal při syntéze?\par
Diskutujte změnu oxidačních stavů při syntéze.\par