Tato diplomová práce se věnuje studiu vlastností tenkých vrstev chalkogenidových skel složení As50Se50 a možnosti jejich strukturování pomocí elektronové litografie. Tenké vrstvy byly připraveny metodou vakuového napaření. Na tenkých vrstvách byly následně studovány změny optických parametrů, struktury a chemické odolnosti vlivem expozice polychromatickým elektromagnetickým zářením a svazkem elektronů.
Anotace v angličtině
This thesis deals with a study of As50Se50 chalcogenide glass thin films properties and possibilities of their structuring using electron beam lithography. Thin films were prepared by vacuum thermal evaporation method. Changes of the structure, optical parameters and chemical resistance in dependence on the exposure to polychromatic electromagnetic radiation and electron beam of these thin films, were studied.
chalcogenide glasses, thin films, electron beam lithography
Rozsah průvodní práce
-
Jazyk
CZ
Anotace
Tato diplomová práce se věnuje studiu vlastností tenkých vrstev chalkogenidových skel složení As50Se50 a možnosti jejich strukturování pomocí elektronové litografie. Tenké vrstvy byly připraveny metodou vakuového napaření. Na tenkých vrstvách byly následně studovány změny optických parametrů, struktury a chemické odolnosti vlivem expozice polychromatickým elektromagnetickým zářením a svazkem elektronů.
Anotace v angličtině
This thesis deals with a study of As50Se50 chalcogenide glass thin films properties and possibilities of their structuring using electron beam lithography. Thin films were prepared by vacuum thermal evaporation method. Changes of the structure, optical parameters and chemical resistance in dependence on the exposure to polychromatic electromagnetic radiation and electron beam of these thin films, were studied.