Cílem předložené práce je příprava a následná charakterizace tenkých vrstev Ga-Sb-Te,
které mají potenciál pro využití jako paměti s fázovou změnou.
Teoretická část práce se zabývá popisem paměťových materiálů s fázovou změnou,
systémem Ga-Sb-Te a následně metodami pro přípravu tenkých vrstev. Experimentální část
práce se věnuje naprašování tenkých vrstev GaSb, GaTe, Te za použití jedné katody
a vícekatodovému naprašování tenkých vrstev Ga-Sb-Te. V návaznosti na přípravu tenkých
vrstev byla provedena charakterizace vzorků. K charakterizaci chemického složení a studiu
morfologie byl použit skenovací elektronový mikroskop s energiově-disperzním rentgenovým
analyzátorem. Informace o povrchu vrstev poskytla mikroskopie atomárních sil. Dále byla
využita rentgenová difrakční analýza, sloužící ke zjištění fázového stavu vrstev.
Spektroskopická elipsometrie s proměnným úhlem dopadu byla použita pro zjištění optických
vlastností a tloušťky vrstev. Tloušťky vrstev byly ověřeny pomocí profilometru.
Anotace v angličtině
The aim of this work is the preparation and characterization of Ga-Sb-Te thin films,
which have the potential for use as phase change memories.
The theoretical part deals with phase change materials, Ga-Sb-Te system and describes
the methods used for the preparation of thin films. Experimental part of the work is devoted to
the sputtering of GaSb, GaTe, Te thin films and co-sputtering of Ga-Sb-Te thin films. Following
the fabrication of thin films, the characterization of the samples was performed. Scanning
electron microscopy with an energy-dispersive X-ray analyzer was used for the characterization
of chemical composition and morphology. Atomic force microscopy was used to obtain the
information about layer?s surface. Furthermore, X-ray diffraction analysis was used to
determine the phase state of the layers. Variable angle spectroscopic ellipsometry was
employed to assess the optical properties and thicknesses of the films. Thicknesses of the films
were verified using a profilometer.
Klíčová slova
Amorfní chalkogenidy, Ga-Sb-Te, vícekatodové naprašování, tenké vrstvy
Klíčová slova v angličtině
Amorphous chalcogenides, Ga-Sb-Te, co-sputtering, thin films
Rozsah průvodní práce
-
Jazyk
CZ
Anotace
Cílem předložené práce je příprava a následná charakterizace tenkých vrstev Ga-Sb-Te,
které mají potenciál pro využití jako paměti s fázovou změnou.
Teoretická část práce se zabývá popisem paměťových materiálů s fázovou změnou,
systémem Ga-Sb-Te a následně metodami pro přípravu tenkých vrstev. Experimentální část
práce se věnuje naprašování tenkých vrstev GaSb, GaTe, Te za použití jedné katody
a vícekatodovému naprašování tenkých vrstev Ga-Sb-Te. V návaznosti na přípravu tenkých
vrstev byla provedena charakterizace vzorků. K charakterizaci chemického složení a studiu
morfologie byl použit skenovací elektronový mikroskop s energiově-disperzním rentgenovým
analyzátorem. Informace o povrchu vrstev poskytla mikroskopie atomárních sil. Dále byla
využita rentgenová difrakční analýza, sloužící ke zjištění fázového stavu vrstev.
Spektroskopická elipsometrie s proměnným úhlem dopadu byla použita pro zjištění optických
vlastností a tloušťky vrstev. Tloušťky vrstev byly ověřeny pomocí profilometru.
Anotace v angličtině
The aim of this work is the preparation and characterization of Ga-Sb-Te thin films,
which have the potential for use as phase change memories.
The theoretical part deals with phase change materials, Ga-Sb-Te system and describes
the methods used for the preparation of thin films. Experimental part of the work is devoted to
the sputtering of GaSb, GaTe, Te thin films and co-sputtering of Ga-Sb-Te thin films. Following
the fabrication of thin films, the characterization of the samples was performed. Scanning
electron microscopy with an energy-dispersive X-ray analyzer was used for the characterization
of chemical composition and morphology. Atomic force microscopy was used to obtain the
information about layer?s surface. Furthermore, X-ray diffraction analysis was used to
determine the phase state of the layers. Variable angle spectroscopic ellipsometry was
employed to assess the optical properties and thicknesses of the films. Thicknesses of the films
were verified using a profilometer.
Klíčová slova
Amorfní chalkogenidy, Ga-Sb-Te, vícekatodové naprašování, tenké vrstvy
Klíčová slova v angličtině
Amorphous chalcogenides, Ga-Sb-Te, co-sputtering, thin films
Zásady pro vypracování
1. Seznamte se s literárně dostupnými informacemi o tenkých vrstvách systému Ga-Sb-Te a získané informace přehledně zpracujte.
2. Metodou magnetronového naprašování připravte tenké vrstvy systému Ga-Sb-Te.
3. Určete základní fyzikální vlastnosti připravených tenkých vrstev.
4. Výsledky analyzujte, diskutujte a vyvoďte adekvátní závěry.
Zásady pro vypracování
1. Seznamte se s literárně dostupnými informacemi o tenkých vrstvách systému Ga-Sb-Te a získané informace přehledně zpracujte.
2. Metodou magnetronového naprašování připravte tenké vrstvy systému Ga-Sb-Te.
3. Určete základní fyzikální vlastnosti připravených tenkých vrstev.
4. Výsledky analyzujte, diskutujte a vyvoďte adekvátní závěry.
Seznam doporučené literatury
-
Seznam doporučené literatury
-
Přílohy volně vložené
-
Přílohy vázané v práci
-
Převzato z knihovny
Ne
Plný text práce
Přílohy
Posudek(y) oponenta
Hodnocení vedoucího
Záznam průběhu obhajoby
prof. Ing. Petr Němec, Ph.D. - Zodpovězte otázky oponeta. Jak vypadá závislost elektrického odporu na teplotě u typických materiálů používaných pro paměti s fázovou změnou? Co se naprašuje na povrch těchto materiálů?
doc. Ing. Tomáš Syrový, Ph.D. - Kde se dá využít plynulá změna indexu lomu?
ing. jan Vališ, Ph.D. - Materiál který jste zkoumala má nějaké lepší vlastnosti než materiály běžně používané v optických discích?