Tato práce se zabývá výzkumem vlivu příměsi ruthenia v monokrystalech selenidu bismutitého
na jeho termoelektrické a transportní vlastnosti. Metodou řízeného chladnutí taveniny byla
připravena řada pěti vzorků Bi2-xRuxSe3 o koncentraci ruthenia od 0 do 0,04. U všech vzorků
byla měřena elektrická vodivost, Hallův koeficient, Seebeckův koeficient v teplotním rozsahu
od 95 do 475 K.
Anotace v angličtině
This work deals with the investigation of the effect of ruthenium impurity in bismuth selenide
single crystals on its thermoelectric and transport properties. A series of five samples of
Bi2-xRuxSe3 with ruthenium concentrations ranging from 0 to 0.04 were prepared using by the
controlled melt cooling method. The electrical conductivity, Hall coefficient, and Seebeck
coefficient were measured for all samples in the temperature range from 95 to 475 K.
Single crystal, Hall coefficient, Seebeck coefficient, electrical conductivity, XRD,
thermoelectric efficiency
Rozsah průvodní práce
-
Jazyk
CZ
Anotace
Tato práce se zabývá výzkumem vlivu příměsi ruthenia v monokrystalech selenidu bismutitého
na jeho termoelektrické a transportní vlastnosti. Metodou řízeného chladnutí taveniny byla
připravena řada pěti vzorků Bi2-xRuxSe3 o koncentraci ruthenia od 0 do 0,04. U všech vzorků
byla měřena elektrická vodivost, Hallův koeficient, Seebeckův koeficient v teplotním rozsahu
od 95 do 475 K.
Anotace v angličtině
This work deals with the investigation of the effect of ruthenium impurity in bismuth selenide
single crystals on its thermoelectric and transport properties. A series of five samples of
Bi2-xRuxSe3 with ruthenium concentrations ranging from 0 to 0.04 were prepared using by the
controlled melt cooling method. The electrical conductivity, Hall coefficient, and Seebeck
coefficient were measured for all samples in the temperature range from 95 to 475 K.