Předkládaná diplomová práce se zabývá studium mikrodefektů ve slabě legovaném N-typovém Czochralskim křemíku. Charakterizace distribuce a charakteru mikrodefektů v křemíkových deskách byla provedena pro dvě skupiny desek lišících se podstoupením kroku denudačního žíhání. Na deskách byly provedeny vysokoteplotní testy s cílem zvýraznit existující mikrodefekty. Analýza mikrodefektů na křemíkových deskách byla provedena pomocí optické mikroskopie a skenovací elektronové mikroskopie s metodou detekce hran a rozptylem laserového svazku. Diplomová práce byla vytvořena za podpory společnosti ON Semiconductor Czech Republic, s. r. o. v Rožnově pod Radhoštěm.
Anotace v angličtině
The presented diploma thesis deals with the study of microdefects in lightly doped N-type Czochralski silicon. Characterization of the distribution and nature of microdefects in silicon wafers was performed for two groups of wafers differing in the denudation annealing step. High-temperature tests were conducted on the wafers to highlight existing microdefects. Analysis of microdefects on the silicon wafers was carried out by using optical microscopy and scanning electron microscopy with edge detection method and laser beam scattering. This diploma thesis was created with the support of ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o. in Rožnov pod Radhoštěm.
Předkládaná diplomová práce se zabývá studium mikrodefektů ve slabě legovaném N-typovém Czochralskim křemíku. Charakterizace distribuce a charakteru mikrodefektů v křemíkových deskách byla provedena pro dvě skupiny desek lišících se podstoupením kroku denudačního žíhání. Na deskách byly provedeny vysokoteplotní testy s cílem zvýraznit existující mikrodefekty. Analýza mikrodefektů na křemíkových deskách byla provedena pomocí optické mikroskopie a skenovací elektronové mikroskopie s metodou detekce hran a rozptylem laserového svazku. Diplomová práce byla vytvořena za podpory společnosti ON Semiconductor Czech Republic, s. r. o. v Rožnově pod Radhoštěm.
Anotace v angličtině
The presented diploma thesis deals with the study of microdefects in lightly doped N-type Czochralski silicon. Characterization of the distribution and nature of microdefects in silicon wafers was performed for two groups of wafers differing in the denudation annealing step. High-temperature tests were conducted on the wafers to highlight existing microdefects. Analysis of microdefects on the silicon wafers was carried out by using optical microscopy and scanning electron microscopy with edge detection method and laser beam scattering. This diploma thesis was created with the support of ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o. in Rožnov pod Radhoštěm.
1. Cílem diplomové práce je studium mikrodefektů v Czochralskiho monokrystalickém křemíku, jejich zviditelnění a určení jejich distribuce v krystalu.
2. Literární rešerše bude zaměřena na problematiku vzniku a rozložení mikrodefektů v monokrystalech křemíku, o metodách jejich zviditelnění a kvantifikace.
3. V rámci experimentální práce budou mikrodefekty v Czochralskiho křemíku zviditelněny s použitím vhodných leptacích směsí a žíhání a bude určena jejich axiální a radiální distribuce v monokrystalu s použitím optické a elektronové mikroskopie a povrchového skenování křemíkových desek laserovým svazkem.
4. Experimentální výsledky budou diskutovány s ohledem na teorii vzniku mikrodefektů.
5. Závěrem práce bude metodika stanovení distribuce mikrodefektů v monokrystalickém Czochralskim křemíku, z jejíž znalosti vzejdou doporučení pro technologii výroby analyzovaného produktu.
Zásady pro vypracování
1. Cílem diplomové práce je studium mikrodefektů v Czochralskiho monokrystalickém křemíku, jejich zviditelnění a určení jejich distribuce v krystalu.
2. Literární rešerše bude zaměřena na problematiku vzniku a rozložení mikrodefektů v monokrystalech křemíku, o metodách jejich zviditelnění a kvantifikace.
3. V rámci experimentální práce budou mikrodefekty v Czochralskiho křemíku zviditelněny s použitím vhodných leptacích směsí a žíhání a bude určena jejich axiální a radiální distribuce v monokrystalu s použitím optické a elektronové mikroskopie a povrchového skenování křemíkových desek laserovým svazkem.
4. Experimentální výsledky budou diskutovány s ohledem na teorii vzniku mikrodefektů.
5. Závěrem práce bude metodika stanovení distribuce mikrodefektů v monokrystalickém Czochralskim křemíku, z jejíž znalosti vzejdou doporučení pro technologii výroby analyzovaného produktu.
Seznam doporučené literatury
Dle pokynů vedoucího práce.
Seznam doporučené literatury
Dle pokynů vedoucího práce.
Přílohy volně vložené
-
Přílohy vázané v práci
-
Převzato z knihovny
Ne
Plný text práce
Přílohy
Posudek(y) oponenta
Hodnocení vedoucího
Ocenění práce
Ocenění (Studentská cena děkana)
Záznam průběhu obhajoby
Diplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací.
Dále reagovala na připomínky oponenta.
Zodpověděla otázky členů komise:
Diskutujte jaké oxidy při tažení monokrystalu křemíku?
Proč se u leptání používá CuCl2.2H2O.
Proč je nejvíc kyslíku na začátku a na konci monokrystalu?
Byly vakance studovány pomocí elektronové mikroskopie?
Jak velké byly void defekty?
Definujte pojem intersticiální část monokrystalu.
Jaká je šířka zakázaného pásu křemíku?
Jak by šla připravit Si deska bez přítomnosti kyslíku na povrchu?